功能說明：MT47H64M8SH-25E IT:H
DDR2 SDRAM使用雙倍數據速率架構來實現高速操作。雙倍數據速率架構本質上是4n預取架構，該接口旨在在每個I / O球的每個時鐘周期傳輸兩個數據字。一個
DDR2 SDRAM的讀或寫操作實際上包括內部DRAM內核處的單個4n位寬，兩個時鐘周期的數據傳輸以及四個對應的數據傳輸。
I / O球上的n位寬，半個時鐘周期的數據傳輸。
雙向數據選通（DQS，DQS＃）與數據一起在外部傳輸，用于
用于接收器的數據捕獲。 DQS是由DDR2 SDRAM傳輸的選通脈沖
在讀取期間以及在寫入期間由存儲控制器執行。 DQS與邊緣對齊
READ的數據與WRITE的數據居中對齊。 x16產品有兩個數據
選通，一個用于低位字節（LDQS，LDQS＃），另一個用于高位字節（UDQS），
UDQS＃）。
DDR2 SDRAM從差分時鐘（CK和CK＃）運行；穿越CK
變高和CK＃變低將被稱為CK的上升沿。命令（地址和控制信號）記錄在CK的每個上升沿。輸入值
數據記錄在DQS的兩個邊緣，輸出數據引用到DQS的兩個邊緣
DQS以及CK的兩個邊緣。
對DDR2 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問從選定的位置開始，并在編程的位置繼續進行編程的數量的位置
順序。訪問從注冊ACTIVATE命令開始，然后進行注冊
然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與
ACTIVATE命令用于選擇要訪問的庫和行。與READ或WRITE命令一致注冊的地址位用于選擇
突發訪問的庫和起始列位置。
DDR2 SDRAM提供了四個或四個以上的可編程讀或寫突發長度。
八個位置。 DDR2 SDRAM支持用另一中斷中斷突發讀取8
讀取或突發寫入八個，而另一個寫入。可以啟用自動預充電功能，以提供在突發訪問結束時啟動的自定時行預充電。
與標準DDR SDRAM一樣，DDR2 SDRAM的流水線多庫架構
支持并發操作，從而通過隱藏提供高有效帶寬
行預充電和激活時間。
提供自刷新模式以及省電，掉電模式。
所有輸入均與SSTL_18的JEDEC標準兼容。所有全驅動能力
輸出是SSTL_18兼容的。
工業溫度（IT）選件（如果提供）同時具有兩個要求：
設備周圍的環境溫度不能低于–40°C或高于
85°C，并且外殼溫度不能低于–40°C或高于95°C。杰德克
規范要求當TC超過85°C時刷新率必須加倍；這也需要
使用高溫自刷新選項。此外，ODT電阻，輸入/
當TC <0°C或> 85°C時，必須降低輸出阻抗和IDD值。
特征：MT47H64M8SH-25E IT:H
•VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V
•JEDEC標準的1.8V I / O（與SSTL_18兼容）
•差分數據選通（DQS，DQS＃）選項
•4n位預取架構
•x8的重復輸出選通（RDQS）選項
•DLL使DQ和DQS過渡與CK對齊
•8個內部銀行可同時運行
•可編程CAS延遲（CL）
•發布的CAS附加延遲（AL）
•寫延遲=讀延遲-1 t
CK
•可選的突發長度（BL）：4或8
•可調的數據輸出驅動強度
•64毫秒，8192周期刷新
•片上終止（ODT）
•工業溫度（IT）選件
•汽車溫度（AT）選件
•符合RoHS
•支持JEDEC時鐘抖動規范
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM - DDR2
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-60
數據總線寬度: 8 bit
組織: 64 M x 8
存儲容量: 512 Mbit
最大時鐘頻率: 800 MHz
電源電壓-最大: 1.9 V
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電流—最大值: 95 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MT47H
封裝: Tray
商標: Micron
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1518
子類別: Memory & Data Storage
