一般說明：MT48H32M16LFB4-6IT:C
512Mb移動LPSDR是高速CMOS動態隨機存取存儲器包含536,870,912位。它在內部配置為具有
同步接口（所有信號都記錄在時鐘信號的上升沿，
CLK）。 x16的134,217,728位存儲區中的每一個都被組織為8192行乘1K列
減少16位x32的134,217,728位存儲區中的每一個都被組織為8192行x 512列x 32位。在[縮小頁面大小]選項中，x32的每個134,217,728位
存儲體被組織為16,384行乘256列乘32位。
移動LPSDR在DRAM的操作性能方面取得了實質性的進步，包括
具有自動產生列地址的高數據速率同步突發數據的能力，在內部存儲體之間交錯以隱藏預充電時間的能力以及在突發訪問期間的每個時鐘周期隨機改變列地址的能力。
注意：
1.在整個數據表中，各種圖形和文字將DQ稱為DQ。 DQ應該是
除非另有說明，否則解釋為所有DQ。此外，x16分為兩個字節：低字節和高字節。對于較低
字節（DQ [7：0]），DQM引用LDQM。對于高位字節（DQ [15：8]），DQM指的是
UDQM。 x32分為四個字節。對于DQ [7：0]，DQM引用DQM0。對于
DQ [15：8]，DQM是指DQM1。對于DQ [23:16]，DQM引用DQM2，對于
DQ [31:24]，DQM是指DQM3。
2.整個文檔中都描述了完整的功能；任何頁面或圖表
可能已經簡化以傳達主題，并且可能未包含所有要求。
3.任何具體要求優先于一般性聲明。
特征：MT48H32M16LFB4-6IT:C
•VDD / VDDQ = 1.7–1.95V
•完全同步；所有信號均為正
系統時鐘的邊緣
•內部流水線操作；列地址可以
每個時鐘周期更改一次
•四個內部銀行可同時運行
•可編程突發長度：1、2、4、8和連續
•自動預充電，包括并發自動預充電
•自動刷新和自我刷新模式
•LVTTL兼容的輸入和輸出
•片上溫度傳感器控制自我刷新
率
•部分陣列自刷新（PASR）
•深度掉電（DPD）
•可選的輸出驅動強度（DS）
•64ms刷新周期；汽車溫度為32ms
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM Mobile - LPSDR
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-54
數據總線寬度: 16 bit
組織: 32 M x 16
存儲容量: 512 Mbit
最大時鐘頻率: 166 MHz
訪問時間: 5 ns
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電流—最大值: 90 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MT48H32M16LFB4
封裝: Tray
商標: Micron
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1560
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 1.501 g
