產品描述：STFW3N150
這些功率MOSFET采用公司基于綜合條帶布局的MESHOVERLAY™流程。 結果是一個產品匹配或提高性能與其他標準件相當制造商。

產品特性：STFW3N150
•100％雪崩測試
•固有電容和Qg最小化
•高速切換
•完全隔離的TO-3PF塑料包裝，
爬電距離路徑為5.4 mm（典型值）

應用：STFW3N150
•切換應用程序

制造商:STFW3N150
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-3PF-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1.5 kV
Id-連續漏極電流:
2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
9 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
29.3 nC
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
63 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerMESH
封裝:
Tube
系列:
STFW3N150
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
商標:
STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:
2.6 S
下降時間:
61 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
47 ns
工廠包裝數量:
300
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
45 ns
典型接通延遲時間:
24 ns
單位重量:
7 g