描述：K4A4G085WE-BCTD

4Gb E-die DDR4 SDRAM
具有無鉛和無鹵素的78FBGA
（符合RoHS）

特點：K4A4G085WE-BCTD
•JEDEC標準1.2V（1.14V〜1.26V）
•VDDQ = 1.2V（1.14V〜1.26V）
•800 MHz fCK用于1600Mb / sec / pin，933 MHz fCK用于1866Mb / sec / pin，
1067MHz fCK用于2133Mb / sec / pin，1200MHz fCK用于2400Mb / sec / pin，
1333MHz fCK for 2666Mb / sec / pin
•16家銀行（4個銀行組）
•可編程CAS延遲（已發布CAS）：
10,11,12,13,14,15,16,17,18
•可編程加性延遲：0，CL-2或CL-1時鐘
•可編程CAS寫入延遲（CWL）= 9,11（DDR4-1600），10,12
（DDR4-1866），11、14（DDR4-2133），12、16（DDR4-2400）和14,18
（DDR4-2666）
•8位預取
•突發長度：8、4，tCCD = 4，不允許無縫讀取
或撰寫[使用A12或MRS即時下載]
•雙向差分數據選通
•內部（自我）校準：通過ZQ引腳進行內部自我校準
（RZQ：240歐姆±1％）
•使用ODT引腳進行管芯端接
•平均刷新時間為7.8us（低于TCASE85C，3.9us低于TCASE）
85C<TCASE <95C
•支持工業溫度（-40°C〜95°C）
--40°C≤TCASE≤85°C時的tREFI 7.8us
-85°C <TCASE≤95°C時的tREFI 3.9us
•異步復位
•包裝：78個球FBGA-x4 / x8
•所有無鉛產品均符合RoHS
•所有產品均不含鹵素
•CRC（循環冗余校驗），用于讀/寫數據安全
•命令地址奇偶校驗
•DBI（數據總線倒置）
•減速模式
•POD（偽漏極開路）接口，用于數據輸入/輸出
•用于數據輸入的內部VREF
•用于DRAM激活電源的外部VPP
•支持PPR和sPPR
4Gb DDR4 SDRAM E-die被組織為64Mbit x 4 I / O x 16banks
或32Mbit x8 I / O x 16banks設備。該同步設備可實現
高達2666Mb / sec / pin的高速雙數據速率傳輸速率（DDR4
2666）。
該芯片的設計符合以下DDR4 SDRAM關鍵功能，例如發布的CAS，可編程CWL，內部（自）校準，
使用ODT引腳和異步復位的管芯端接。
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點鎖存（CK上升和CK下降）。所有I / O均與
源同步方式的一對雙向選通脈沖（DQS和DQS）。地址總線用于傳送行，列和庫地址
RAS / CAS復用樣式中的信息。 DDR4設備運行
使用1.2V（1.14V〜1.26V）單電源和1.2V（1.14V〜1.26V）供電。
4Gb DDR4 E-die設備可用于78ball FBGA（x4 / x8）。

詳細參數：K4A4G085WE-BCTD
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包裝說明
達到合規性
風險等級5.84
訪問模式MULTI BANK頁面突發
其他特性自動/自刷新
JESD-30代碼R-PBGA-B78
長度11毫米
內存密度4294967296位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度8
功能數量1
運輸數量1
端子數量78
字數536870912單詞
字數代碼512000000
工作模式同步
最高工作溫度85°C
最低工作溫度
組織512MX8
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.26 V
最小電源電壓（Vsup）1.14 V
標稱電源電壓（Vsup）1.2 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
寬度7.5毫米