描述：K4A8G085WB-BCRC

8Gb B晶粒DDR4 SDRAM
具有無鉛和無鹵素的78FBGA
（符合RoHS）
DRAM芯片DDR4 SDRAM 8Gbit 1Gx8 1.2V 78引腳FBGA


特點：K4A8G085WB-BCRC
•JEDEC標準1.2V（1.14V〜1.26V）
•VDDQ = 1.2V（1.14V〜1.26V）
•800 MHz fCK用于1600Mb / sec / pin，933 MHz fCK用于1866Mb / sec / pin，
1067MHz fCK用于2133Mb / sec / pin，1200MHz fCK用于2400Mb / sec / pin，
1333MHz fCK for 2666Mb / sec / pin
•16家銀行（4個銀行組）
•可編程CAS延遲（已發布CAS）：
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20
•可編程加性延遲：0，CL-2或CL-1時鐘
•可編程CAS寫入延遲（CWL）= 9,11（DDR4-1600），10,12
（DDR4-1866），11、14（DDR4-2133），12、16（DDR4-2400）和14,18（DDR4
2666）
•8位預取
•突發長度：tCCD = 4時為8、4，不允許無縫讀取或
編寫[使用A12或MRS即時運行]
•雙向差分數據選通
•內部（自我）校準：通過ZQ引腳進行內部自我校準
（RZQ：240歐姆±1％）
•使用ODT引腳進行管芯端接
•平均刷新周期為7.8us（低于TCASE85C，3.9us在85C<
TCASE <95C
•支持工業溫度（-40°C〜95°C）
--40°C≤TCASE≤85°C時的tREFI 7.8us
-85°C <TCASE≤95°C時的tREFI 3.9us
•支持連通性測試模式（TEN）
•異步復位
•包裝：78個球FBGA-x4 / x8
•所有無鉛產品均符合RoHS
•所有產品均不含鹵素
•CRC（循環冗余校驗），用于讀/寫數據安全
•命令地址奇偶校驗
•DBI（數據總線倒置）
•減速模式
•POD（偽漏極開路）接口，用于數據輸入/輸出
•用于數據輸入的內部VREF
•用于DRAM激活電源的外部VPP
•支持PPR和sPPR
8Gb DDR4 SDRAM B-die被組織為128Mbit x 4個I / O x
16bank或64Mbit x8 I / O x 16bank設備這個同步裝置
實現高達2666Mb / sec /的高速雙數據速率傳輸速率
引腳（DDR4-2666），用于一般應用。
該芯片的設計符合以下DDR4 SDRAM關鍵功能，例如發布的CAS，可編程CWL，內部（自）校準，
使用ODT引腳和異步復位的管芯端接。
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點鎖存（CK上升和CK下降）。所有I / O均與
源同步方式的一對雙向選通脈沖（DQS和DQS）。地址總線用于傳送行，列和庫地址
RAS / CAS復用樣式中的信息。 DDR4設備運行
使用1.2V（1.14V〜1.26V）單電源和1.2V（1.14V〜1.26V）供電。
8ball DDRGA B-die設備可用于78ball FBGA（x4 / x8）。

詳細參數：K4A8G085WB-BCRC
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期已過時
IHS制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包裝說明FBGA，BGA78,9X13,32
達到合規性
風險等級5.79
最長訪問時間0.175 ns
最大時鐘頻率（fCLK）1200 MHz
I / O類型COMMON
交錯的突發長度4,8
JESD-30代碼R-PBGA-B78
內存密度8589934592位
內存集成電路類型DDR DRAM
端子數量78
最高工作溫度85°C
最低工作溫度
輸出特性3-STATE
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼FBGA
封裝等效代碼BGA78,9X13,32
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，精細間距
電源1.2 V
認證狀態不合格
刷新周期8192
連續突發長度4,8
最大休眠電流0.016 A
子類別DRAM
最大壓擺率0.173 mA
標稱電源電壓（Vsup）1.2 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM