具有無鉛和無鹵素的96FBGA
（符合RoHS）
DRAM芯片DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96引腳FBGA
特點：K4A8G165WC-BCTD
•JEDEC標準1.2V（1.14V〜1.26V）
•VDDQ = 1.2V（1.14V〜1.26V）
•VPP = 2.5V（2.375V〜2.75V）
•800 MHz fCK用于1600Mb / sec / pin，933 MHz fCK用于1866Mb / sec / pin，
1067MHz fCK用于2133Mb / sec / pin，1200MHz fCK用于2400Mb / sec / pin，
1333MHz fCK for 2666Mb / sec / pin
•8家銀行（2個銀行組）
•可編程CAS延遲（已發布CAS）：
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20
•可編程CAS寫入延遲（CWL）= 9,11（DDR4-1600），10,12
（DDR4-1866），11、14（DDR4-2133），12、16（DDR4-2400）和14,18（DDR4
2666）
•8位預取
•突發長度：tCCD = 4時為8、4，不允許無縫讀取或
編寫[使用A12或MRS即時運行]
•雙向差分數據選通
•內部（自我）校準：通過ZQ引腳進行內部自我校準
（RZQ：240歐姆±1％）
•使用ODT引腳進行管芯端接
•平均刷新周期為7.8us（低于TCASE85C，3.9us在85C<
TCASE <95C
•支持連通性測試模式（TEN）
•異步復位
•包裝：96球FBGA-x16
•所有無鉛產品均符合RoHS
•所有產品均不含鹵素
•CRC（循環冗余校驗），用于讀/寫數據安全
•命令地址奇偶校驗
•DBI（數據總線倒置）
•減速模式
•POD（偽漏極開路）接口，用于數據輸入/輸出
•用于數據輸入的內部VREF
•用于DRAM激活電源的外部VPP
•支持PPR和sPPR
8Gb DDR4 SDRAM C-die被組織為64Mbit x 16 I / O x 8banks
設備。該同步設備實現了高速雙數據速率
一般應用的傳輸速率高達2666Mb / sec / pin（DDR4-2666）。
該芯片的設計符合以下DDR4 SDRAM關鍵功能，例如發布的CAS，可編程CWL，內部（自）校準，
使用ODT引腳和異步復位的管芯端接。
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點鎖存（CK上升和CK下降）。所有I / O均與
源同步方式的一對雙向選通脈沖（DQS和DQS）。地址總線用于傳送行，列和庫地址
RAS / CAS復用樣式中的信息。 DDR4設備運行
使用單個1.2V（1.14V〜1.26V）電源，1.2V（1.14V〜1.26V）VDDQ
和2.5V（2.375V〜2.75V）VPP。
8ball DDR4 C-die設備可用于96ball FBGA（x16）。
詳細參數：K4A8G165WC-BCTD
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
達到合規性
風險等級5.81
內存集成電路類型DDR DRAM
暫未確定初始溫度（攝氏度）
未指定處于初始溫度下的最極端
