描述：FDA69N25
FDA69N25：N組裝UniFETTM MOSFET 250V，69A，41mΩ該場效應管產品專用于降低通態電阻，并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。該器件系列適用 于開關電源轉換器應用，如功率因數校正（PFC），平板顯示器（FPD）電視電源，ATX及燈用電子鎮流器。
RDS（on）=41mΩ（續）@ VGS = 10V，ID = 34.5A
低濃縮甲醛（典型值77nC）
低Crss（典型值84pF）
等離子電視
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 69 A
Rds On-漏源導通電阻: 41 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 100 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
系列: FDA69N25
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 220 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 885 ns
工廠包裝數量: 450
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 130 ns
典型接通延遲時間: 95 ns
單位重量: 6.401 g
