•開關穩壓器
（1）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.13
Ω（典型值）
用于超級結結構：DTMOS
（2）易于控制的門開關
（3）增強模式：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，I
D = 1 mA）
制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.7 V
Qg-柵極電荷: 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商標名: DTMOSIV
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK20A60W
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 50 ns
單位重量: 6 g
