描述：TK6A60D

開關穩壓器應用
東芝場效應晶體管硅N溝道MOS類型（π-MOSⅦ）


特點：TK6A60D
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 1.0Ω（典型值）
•高遠期轉移準入：| Yfs | = 3.0秒（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600 V）
•增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

TK6A60D

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.25 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 16 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK6A60D
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 40 ns
單位重量: 6 g