描述：FDPF33N25T

FDPF33N25T：功率MOSFET，N長度，UniFETTM，250 V，33 A，94mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET是基于平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET系列。此MOSFET適用于降低導通電阻，提供更佳的開關性能以及更高的雪崩能量強度。此器件系列適用于開關電力轉換器應用，如功率 因數校正（PFC），平板顯示屏（FPD）電視電源，ATX和電子燈鎮流器。

特性：FDPF33N25T
RDS（on）=94mΩ（續）@ VGS = 10V，ID = 16.5A
低含量甲醛（典型值36.8nC）
低Crss（典型值39pF）

100％經過雪崩擊穿測試

應用：FDPF33N25T
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
等離子電視
燈光
不間斷電源
AC-DC電源

FDPF33N25T

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 77 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 37 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
系列: FDPF33N25T
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 4.9 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 26.6 S
下降時間: 120 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 230 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
單位重量: 2.270 g