描述：TK4A60DA
東芝場效應管硅N溝道MOS型開關穩壓器應用
特點：TK4A60DA
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 1.7Ω（典型值）
•高前向傳輸導納：⎪Yfs⎪= 2.2 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600 V）
•增強模式：Vth = 2.4至4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 3.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.7 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.4 V
Qg-柵極電荷: 11 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
通道模式: Enhancement
商標名: MOSVII
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK4A60DA
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
正向跨導 - 最小值: 0.6 S
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 40 ns
單位重量: 1.700 g
