■一般說明：XP151A13A0MR
XP151A13A0MR-G是具有低導通電阻和超高速開關的N溝道功率MOSFET
特征。
因為可以進行高速開關，所以可以有效地設置IC，從而節省能源。
為了抵抗靜電，內置了柵極保護二極管。

小型的SOT-23封裝使高密度安裝成為可能。

■應用領域：XP151A13A0MR
●筆記本電腦
●手機
●車載電源

●鋰離子電池系統

■特點：XP151A13A0MR
低通態電阻：Rds（on）=0.1Ω@ Vgs = 4.5V
：Rds（on）=0.14Ω@ Vgs = 2.5V
：Rds（on）=0.25Ω@ Vgs = 1.5V
超高速開關
內置柵極保護二極管
驅動電壓：1.5V
N溝道功率MOSFET
DMOS結構
小包裝：SOT-23
環保：符合歐盟RoHS，無鉛

XP151A13A0MR

制造商: Torex Semiconductor
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 1 A
Rds On-漏源導通電阻: 250 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
商標: Torex Semiconductor
下降時間: 65 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 10 ns