描述：AOD478
100V N溝道MOSFET
AOD478 / AOI478結合了先進的溝槽
采用低電阻封裝的MOSFET技術提供極低的RDS（ON）。 該設備非常適合升壓轉換器和同步整流器，用于消費類，電信，工業電源和LED
逆光。


產品概要：AOD478
VDS
ID（在VGS = 10V時）11A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<140mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<152mΩ
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD478
描述MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-100V-2.5A（Ta）-11A（Tc）-2.1W（Ta）-45W（Tc）-TO-252-（D-Pak）

一般信息：AOD478

數據列表AOD478/AOI478;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AOD478

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）2.5A（Ta），11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）140 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）13nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）540pF @ 50V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），45W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63