描述：AOD403
30V P溝道MOSFET
AOD403 / AOI403使用先進的溝槽技術提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和低柵極抵抗性。 具有優異的耐熱性DPAK / IPAK封裝，此設備非常適合高
當前的負載應用。


產品概要：AOD403
VDS -30V
ID（在VGS = -20V時）-70A
RDS（ON）（在VGS = -20V時）<6.2mΩ（<6.7mΩ∗）
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<8mΩ（<8.5mΩ∗）
經過100％UIS測試
100％通過Rg
經過測試

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD403
描述MOSFET P-CH 30V 15A TO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-15A（Ta）-70A（Tc）-2.5W（Ta）-90W（Tc）-TO-252-（D-Pak）

一般信息：AOD403

數據列表AOD403;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AOD403

FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）15A（Ta），70A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V，20V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）6 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）120nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）5300pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），90W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63