描述：AOD4186
N通道增強模式場效應晶體管
AOD4186結合了先進的溝槽MOSFET低電阻封裝技術提供RDS（ON）極低。 該設備是低電量的理想選擇電壓逆變器的應用。
-符合RoHS
-無鹵素


特征：AOD4186
VDS（V）= 40V
ID = 35A
RDS（開）<15mΩ
RDS（開）<19mΩ
（VGS = 10V）
（VGS = 10V）
（VGS = 4.5V）
經過100％UIS測試！
100％R g已測試！

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD4186
描述MOSFET N-CH 40V 10A TO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-40V-10A（Ta）-35A（Tc）-2.5W（Ta）-50W（Tc）-TO-252-（D-Pak

一般信息：AOD4186

數據列表AOD4186;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AOD4186

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）10A（Ta），35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）15 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）20nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1200pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63