描述：TK12A60W.S4VX(M
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin（3 + Tab）TO-220SIS雜志
分類路徑半導體>二極管，晶體管和晶閘管> FET晶體管> MOSFET


應用領域：TK12A60W.S4VX(M

•開關穩壓器

2.特點：TK12A60W.S4VX(M
（1）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.265Ω（典型值）
用于超級結結構：DTMOS
（2）易于控制的門開關
（3）增強模式：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.6 mA）

TK12A60W.S4VX(M

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 11.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
通道模式: Enhancement
商標名: DTMOSIV
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK12A60W
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
下降時間: 5.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 85 ns
典型接通延遲時間: 45 ns
單位重量: 6 g