描述：TK100E10N1.S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin（3 + Tab）TO-220雜志
分類路徑半導體>二極管，晶體管和晶閘管> FET晶體管> MOSFET


應用領域;TK100E10N1.S1X(S

•開關穩壓器

2.特點:TK100E10N1.S1X(S
（1）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 2.8mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
（2）低泄漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
（3）增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）

TK100E10N1.S1X(S

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 207 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 140 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
通道模式: Enhancement
商標名: U-MOSVIII-H
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.1 mm
長度: 10.16 mm
系列: TK100E10N1
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.45 mm
商標: Toshiba
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
單位重量: 6 g