描述：TK31N60W
晶體管（雙極/ MOSFET / IGBT）-MOSFET-功率MOSFET-Nch 500V <VDSS≤700V
晶體管N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin（3 + Tab）TO-247
分類路徑半導體>二極管，晶體管和晶閘管> FET晶體管> MOSFET


應用領域：TK31N60W

•開關穩壓器

2.特點：TK31N60W
（1）快速反向恢復時間：trr = 135 ns（典型值）
（2）低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.082Ω（典型值）
用于超級結結構：DTMOS
（3）易于控制的門開關
（4）增強模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.5 mA）

TK31N60W

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 30.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 105 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
商標名: DTMOSIV
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.95 mm
長度: 15.94 mm
系列: TK31N60W
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.02 mm
商標: Toshiba
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
單位重量: 38 g