描述：TK10A60D(STA4.X.M)
晶體管N-CH Si 600V 10A 3-Pin（3 + Tab）TO-220SIS
分類路徑半導體>二極管，晶體管和晶閘管> FET晶體管> MOSFET
東芝場效應晶體管硅N溝道MOS型（π-MOSVII）


開關穩壓器應用：TK10A60D(STA4.X.M)
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.58Ω（典型值）
•高遠期轉移準入：| Yfs | = 6.0 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600 V）
•增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

TK10A60D(STA4.X.M)

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商標名: DTMOSIV
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15 mm
長度: 10 mm
系列: TK10A60D
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
正向跨導 - 最小值: 1.5 S
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 55 ns
單位重量: 6 g