描述：AO4614B
40V雙P + N溝道MOSFET
AO4614B使用先進的溝槽技術
MOSFET提供出色的RDS（ON）和低柵極收費。 可以使用互補MOSFET在H橋，逆變器和其他應用中。

產品概要：AO4614B
N通道P通道
VDS（V）= 40V，-40V
ID = 6A（VGS = 10V）-5A（VGS = -10V）
RDS（開）
<30mΩ（VGS = 10V）<45mΩ（VGS = -10V）
<38mΩ（VGS = 4.5V）<63mΩ（VGS = -4.5V）
100％經過UIS測試100％經過UIS測試
已測試100％的Rg已測試100％的Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4614B
描述MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道-Mosfet-陣列-40V-6A-5A-2W-表面貼裝型-8-SO

一般信息：AO4614B

數據列表AO4614B;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-

規格：AO4614B

FET 類型N 和 P 溝道
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）6A，5A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）30 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）10.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）650pF @ 20V
功率 - 最大值2W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝8-SO