描述：AOD609
互補增強模式場效應晶體管
AOD609使用先進的溝槽技術MOSFET提供出色的RDS（ON）和低功耗門控費用。 互補MOSFET可能用于H橋，逆變器和其他
應用程序。
-符合RoHS
-無鹵素*


特征：AOD609
n通道
VDS（V）= 40V，ID = 12A（VGS = 10V）
RDS（開啟）<30mW（VGS = 10V）
RDS（開啟）<40mW（VGS = 4.5V）
p通道
VDS（V）= -40V，ID = -12A（VGS = -10V）
RDS（開啟）<45mW（VGS = -10V）
RDS（開啟）<66mW（VGS = -4.5V）
經過100％UIS測試！
已通過100％Rg測試！

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD609
描述MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道-共漏-Mosfet-陣列-40V-12A-2W-表面貼裝型-TO-252-4L

一般信息：AOD609

數據列表AOD609;
TO252-4L Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-

規格：AOD609

FET 類型N 和 P 溝道，共漏
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）12A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）30 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）10.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）650pF @ 20V
功率 - 最大值2W
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
供應商器件封裝TO-252-4L