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AO6604

發布時間:2021/1/15 19:07:00 訪問次數:174 發布企業:西旗科技(銷售二部)





描述:AO6604
20V互補MOSFET
AO6604結合了先進的溝槽MOSFET
低電阻封裝技術提供RDS(ON)極低。 該設備是負載開關的理想選擇和電池保護應用。


產品概要:AO6604
N通道P通道
VDS = 20V -20V
ID = 3.4A(VGS = 4.5V)-2.5A(VGS = -4.5V)
RDS(開啟)RDS(開啟)
<65mΩ(VGS = 4.5V)<75mΩ(VGS = -4.5V)
<75mΩ(VGS = 2.5V)<95mΩ(VGS = -2.5V)
<100mΩ(VGS = 1.8V)<115mΩ(VGS = -1.8V)


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO6604
描述MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道互補型-Mosfet-陣列-20V-3.4A-2.5A-1.1W-表面貼裝型-6-TSOP



一般信息:AO6604

數據列表AO6604;
TSOP6 Pkg Drawing
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-


規格:AO6604

FET 類型N 和 P 溝道互補型
FET 功能邏輯電平柵極,4.5V 驅動
漏源電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)3.4A,2.5A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)65 毫歐 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)320pF @ 10V
功率 - 最大值1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼SC-74,SOT-457
供應商器件封裝6-TSOP

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