新一代N溝道增強模式MOSFET為
設計用于最小化RDS（ON），同時保持出色的切換
表現。該設備是筆記本電池電源的理想選擇
管理和負載切換。
背光
電源管理功能
DC-DC轉換器
生產中進行100％非鉗位感應開關（UIS）測試
高轉換效率
低RDS（ON）–最小化了通態損耗
低輸入電容
切換速度快
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
案例：SO-8
外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。
UL易燃性分類等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子連接指示器：請參見圖
端子：表面處理–霧錫在銅引線框架上退火。
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
重量：0.074克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 8.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 33.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.5 mm
長度: 4.95 mm
系列: DMT10
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.95 mm
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 8.1 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 19.7 ns
典型接通延遲時間: 6.5 ns
單位重量: 750 mg
