新一代MOSFET旨在最小化導通狀態
電阻（RDS（ON））仍保持出色的開關性能，
使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
通用接口開關
電源管理功能
0.6mm外形–是薄型應用的理想選擇
PCB占地4mm2
低門限電壓
低導通電阻
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
對于需要進行特定更改的汽車應用
控制（即符合AEC-Q101要求的零件，支持PPAP的零件以及
請在IATF 16949認證的設備中制造）
請與我們或您當地的Diodes代表聯系。
機械數據：DMT35M4LFVW-7
案例：U-DFN2020-6
外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。
UL易燃性分類等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子：表面處理-銅引線框架上的NiPdAu。可焊的
按照MIL-STD-202，方法208
重量：0.007克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: U-DFN2020-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 8.1 nC, 14.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N - Channel
商標: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 3.6 ns
單位重量: 65 mg
