該MOSFET旨在最大程度地降低導通電阻
（RDS（ON））并保持卓越的開關性能，使其成為
高效電源管理應用的理想選擇。
•負荷開關
•適配器開關
•筆記本電腦
•低導通電阻
•低輸入電容
•切換速度快
•完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
•無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
•案例：SO-8
•外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。
UL易燃性分類等級94V-0
•水分敏感性：J-STD-020的1級
•端子連接指示燈：參見圖
•端子：表面處理霧錫在銅引線框架上退火。
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
•重量：0.076克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 9.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: DMT60
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5.2 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 3.4 ns
單位重量: 750 mg
