該MOSFET旨在最大程度地降低導通電阻
（RDS（on））并保持出色的開關性能，使其成為
高效電源管理應用的理想選擇。
負載開關
電源管理功能
便攜式電源適配器
低導通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度0.6mm
ESD保護的柵極。
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
案例：U-DFN2020-6 B型
外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料。
UL易燃性分類等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子：在銅引線框架上完成NiPdAu。 可焊性
MIL-STD-202，方法208
端子連接：請參見下圖
重量：0.0065克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DFN-2020-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 3.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 215 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.89 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
商標: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
單位重量: 6.750 mg
