描述：DMP2123L-7
P通道增強模式場效應晶體管


特征：DMP2123L-7
低RDS（開）
72m@VGS = -4.5V
108m@VGS = -2.7V
123m@VGS = -2.5V
低輸入/輸出泄漏
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）

符合AEC-Q101標準的高可靠性

機械數據：DMP2123L-7
案例：SOT23
外殼材料-模制塑料，“綠色”模塑料。
UL阻燃等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020D的1級
端子：表面處理-霧錫在銅引線框架上退火。
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
端子連接：請參見下圖
重量：約0.008克

DMP2123L-7

制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 3 A
Rds On-漏源導通電阻: 72 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 7.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: DMP2123
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.3 mm
商標: Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值: 7.3 S
下降時間: 41 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 8 mg