新一代P溝道增強模式MOSFET為
設計用于最小化RDS（ON）并保持出色的切換
表現。 該設備是筆記本電池電源的理想選擇
管理和負載開關。
開關
高效熱包裝冷卻器運行的應用程序
高轉換效率
低RDS（ON）–最大限度地減少了狀態損失
<1.1mm的封裝輪廓–非常適合薄型應用
無鉛表面處理； 符合RoHS（注1和注2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
案例：PowerDI5060-8（K型）
外殼材料：模制塑料，“綠色”模塑料；
UL易燃性分類等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子精加工-霧錫在銅引線框架上退火；
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
重量：0.097克（大約）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerDI5060-K-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.4 V
Qg-柵極電荷: 282 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerDI
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: DMP2002
商標: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
單位重量: 116 mg
