P通道增強模式MOSFET
特征：DMP2066LDM-7
低RDS（ON）：
40m@VGS = -4.5V
70m@VGS = -2.5V
低輸入/輸出泄漏
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
案例：SOT26
外殼材料–模制塑料。 UL阻燃等級94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子：表面處理-符合MIL-STD-202的霧錫可焊性，
方法208
端子連接：請參見圖
重量：0.008克（大約）
具有PPAP能力（注釋4）
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-26-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 4.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: DMP2066
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 9.9 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9.9 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 4.4 ns
單位重量: 15 mg
