描述：BFP196W
低噪聲硅雙極RF晶體管


特點：BFP196W
•用于低噪聲，低失真的寬帶
天線和電信放大器
集電極電流高達1.5 GHz的系統
20 mA至80 mA
•DECT和PCN系統的功率放大器
•fT = 7.5 GHz，在900 MHz時NFmin = 1.3 dB
•無鉛（符合RoHS要求）和無鹵素封裝
有可見的引線
•提供符合AEC-Q101的鑒定報告

BFP196W

制造商: Infineon
產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
RoHS: 詳細信息
系列: BFP196
晶體管類型: Bipolar
技術: Si
晶體管極性: NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 12 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 2 V
集電極連續電流: 150 mA
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-343
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
直流電流增益 hFE 最大值: 140
類型: RF Bipolar Small Signal
商標: Infineon Technologies
增益帶寬產品fT: 7.5 GHz
Pd-功率耗散: 700 mW
產品類型: RF Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
零件號別名: SP000745250 BFP196WH6327XT BFP196WH6327XTSA1
單位重量: 6.700 mg