商用，工業和汽車DDR3（L）2Gb SDRAM
2Gb Double-Data-Rate-3（DDR3（L））是雙倍數據速率架構，可實現高速操作。這是
內部配置為八個存儲區DRAM。
2Gb芯片組織為32Mbit x 8 I / O x 8 bank或16Mbit x 16 I / Os x 8 bank設備。這些
同步設備可實現高達1866 Mb / sec / pin的高速雙數據速率傳輸速率，通用
應用程序。
該芯片的設計符合所有關鍵的DDR3（L）DRAM關鍵功能以及所有控制和地址
輸入與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入鎖在十字架上
差分時鐘的點（CK上升和下降）。所有I / O均與單端DQS同步或
源同步方式的差分DQS對。
這些器件采用1.5V±0.075V或1.35V -0.067V / + 0.1V單個電源供電，并且可用于
BGA封裝。
特點：NT5CB128M16IP-EK
符合JEDEC DDR3
-8n預取架構
-差分時鐘（CK /）和數據選通（DQS /）
-DQ，DQS和DM的雙數據速率
數據完整性
-通過DRAM內置TS自動刷新（ASR）
-自動刷新和自我刷新模式
節能模式
-部分陣列自刷新（PASR）1
-掉電模式
信號完整性
-可配置的DS，以實現系統兼容性
-可配置的管芯端接
-通過以下方式進行DS / ODT阻抗精度的ZQ校準
外部ZQ墊（240 ohm±1％）
信號同步
-通過MR設置進行水準測量6
-通過MPR閱讀調平
接口和電源
-DDR3的SSTL_15：VDD / VDDQ = 1.5V（±0.075V）
-SSTL_1353
對于DDR3L：VDD / VDDQ = 1.35V（-0.067 / + 0.1V）
選項：NT5CB128M16IP-EK
速度等級（CL-TRCD-TRP）2
-2133 Mbps / 14-14-14
-1866 Mbps / 13-13-13
-1600 Mbps / 11-11-11
溫度范圍（Tc）4
-商業級= 0℃〜95℃
-準工業等級（-T）= -20℃〜95℃
-工業級（-I）= -40℃〜95℃
-汽車2級（-H）= -40℃〜105℃
-汽車3級（-A）= -40℃〜95℃
可編程功能：NT5CB128M16IP-EK
CAS延遲（6/7/8/9/10/11/13/14）
CAS寫入延遲（5/6/7/8/9/10）
加性延遲（0 / CL-1 / CL-2）
寫恢復時間（5/6/7/8/10/12/14/16）
突發類型（順序/交錯）
突發長度（BL8 / BC4 / BC4或動態8）
自刷新溫度范圍（正常/擴展）
輸出驅動器阻抗（34/40）
Rtt_Nom的管芯端接（20/30/40/60/120）
Rtt_WR（60/120）的片上端接
預充電斷電（慢/快）
詳細參數：NT5CB128M16IP-EK
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商NANYA TECHNOLOGY CORP
包裝說明VFBGA，BGA96,9X16,32
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級5.44
訪問模式MULTI BANK PAGE BURST
最長訪問時間0.195 ns
其他特性自動/自刷新
最大時鐘頻率（fCLK）933 MHz
I / O類型COMMON
交錯的突發長度4,8
JESD-30代碼R-PBGA-B96
長度13毫米
內存密度2147483648位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度16
功能數量1
運輸數量1
端子數量96
字數134217728詞
字數代碼128000000
工作模式
最高工作溫度85°C
最低工作溫度
組織128MX16
輸出特性3-STATE
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼VFBGA
封裝等效代碼BGA96,9X16,32
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，非常薄的輪廓，精細的間距
暫未確定初始溫度（攝氏度）
電源1.5 V
認證狀態不合格
刷新周期8192
座面最大高度1毫米
自我刷新是
連續突發長度4,8
最大休眠電流0.015 A
子類別DRAM
最大壓擺率0.25 mA
最大電源電壓（Vsup）1.575 V
最小電源電壓（Vsup）1.425 V
標稱電源電壓（Vsup）1.5 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
未指定位于初始溫度下的最極端
寬度8毫米
