描述：FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU：600V，60A場截止IGBT
該IGBT采用新穎的場截止IGBT技術，可為要求低傳導和開關損耗的太陽能逆變器，UPS，焊機和PFC應用提供最佳性能。

特性：FGH60N60SFDTU
高電流能力
低飽和電壓：VCE（sat）= 2.3V @ IC = 60 A
高輸入阻抗
快速切換
符合RoHS

應用：FGH60N60SFDTU
太陽能逆變器
UPS
焊機
全氟化合物

制造商:FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor
產品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
封裝 / 箱體:
TO-247AB-3
安裝風格:
Through Hole
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
600 V
柵極/發射極最大電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
系列:
FGH60N60SFD
封裝:
Tube
集電極最大連續電流 Ic:
120 A
高度:
20.6 mm
長度:
15.6 mm
寬度:
4.7 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
產品類型:
IGBT Transistors
工廠包裝數量:
450
子類別:
IGBTs
單位重量:
6.390 g