描述：STW9N150
使用牢固整合的高壓MESH意法半導體（ST）擁有OVERLAY™工藝設計了高級功率MOSFET系列表現出色。 加強布局以及公司專有邊緣終端結構，提供最低的每個區域的RDS（on），無與倫比的柵極電荷和開關特性。

特征：STW9N150
■經過100％雪崩測試
■雪崩堅固性
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■高速切換
■導通電阻很低

應用：STW9N150
■切換應用

制造商:STW9N150
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1.5 kV
Id-連續漏極電流:
8 A
Rds On-漏源導通電阻:
2.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
320 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerMESH
封裝:
Tube
高度:
20.15 mm
長度:
15.75 mm
系列:
STW9N150
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5.15 mm
商標:
STMicroelectronics
下降時間:
52 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
14.7 ns
工廠包裝數量:
600
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
86 ns
典型接通延遲時間:
41 ns
單位重量:
38 g