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SI7852DP-T1-GE3

發布時間:2021/1/27 19:25:00 訪問次數:154 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司

描述:SI7852DP-T1-GE3

N通道80 V(D-S)MOSFET


特征:SI7852DP-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•新型低熱阻PowerPAK®
低1.07毫米外形的封裝
•為快速切換而優化的PWM
•已通過100%汞測試
•物料分類:用于以下方面的定義

合規性


應用領域:SI7852DP-T1-GE3
•DC / DC應用的初級側開關


SI7852DP-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 12.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 16.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI7
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI7852DP-GE3
單位重量: 506.600 mg

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