N溝道30 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®Gen III功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•經過100％雪崩測試
•物料分類：用于以下方面的定義
應用領域：SI7658ADP-T1-GE3
•DC / DC轉換器的低壓側開關
-服務器
-POL
-VRM
•OR-ing
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 110 nC
最小工作溫度: - 50 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI7
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI7658ADP-GE3
單位重量: 506.600 mg
