雙P通道60V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
可用的
•TrenchFET®功率MOSFET
•新型低熱阻PowerPAK®
低1.07毫米外形的封裝
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 64 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI7
晶體管類型: 2 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 16 S
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 65 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
零件號別名: SI7949DP-GE3
單位重量: 506.600 mg
