描述：SIS412DN-T1-GE3

N溝道30 V（D-S）MOSFET

特征：SIS412DN-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SIS412DN-T1-GE3
•筆記本電腦
-系統電源
-負載開關

SIS412DN-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 10 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SIS
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 17 S
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns, 12 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns, 15 ns
典型接通延遲時間: 5 ns, 15 ns
零件號別名: SIS412DN-GE3
單位重量: 1 g