這些N溝道增強模式場效應晶體管是使用安森美半導體的
專有的高細胞密度
y，DMOS技術。 這些
產品的設計旨在最大程度地減少導通狀態
提供時的抵抗
堅固，可靠，快速
開關性能。 它們可以用于大多數
需要高達400 mA DC的應用，并且可以提供
脈沖電流高達2A。這些產品是
特別適用于低電壓，低電流
小型伺服電機控制等應用
功率MOSFET柵極驅動器和其他開關應用。
特征：2N7000BU
•高密度電池設計，可實現低RDS（ON）
•電壓控制小信號開關
•堅固可靠
•高飽和電流能力
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-92-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 200 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Bulk
配置: Single
高度: 5.33 mm
長度: 5.2 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: 2N7000
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 4.19 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 0.1 S
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 10000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 10 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: 2N7000BU_NL
單位重量: 453.600 mg
