描述：SI7617DN-T1-GE3
P通道30V（D-S）MOSFET
訂購信息：

SI7617DN-T1-GE3（無鉛和無鹵素）

特征：SI7617DN-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•經過100％的Rg和UIS測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱

應用領域：SI7617DN-T1-GE3
•筆記本電池充電
•筆記本適配器開關

SI7617DN-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 12.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 39 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI7
晶體管類型: 1 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 35 S
下降時間: 9 ns, 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns, 43 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns, 32 ns
典型接通延遲時間: 11 ns, 40 ns
零件號別名: SI7617DN-GE3
單位重量: 1 g