描述：TK12A50D

東芝場效應晶體管硅N溝道MOS類型（π-MOSⅦ）

特征：TK12A50D

低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.45Ω（典型值） •高遠期轉移準入：| Yfs | = 6.0 S（典型值） •低泄漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 500 V） •增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

制造商:TK12A50D
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
12 A
Rds On-漏源導通電阻:
520 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
25 nC
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
45 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
DTMOSIV
封裝:
Tube
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK12A50D
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標:
Toshiba
下降時間:
15 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
22 ns
工廠包裝數量:
50
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
100 ns
典型接通延遲時間:
55 ns
單位重量:
6 g