60V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用D-Pak封裝
優勢：IRFR7540TRPBF
優化分銷合作伙伴的廣泛可用性
根據JEDEC標準進行產品驗證
針對10V電壓驅動電壓進行了優化（稱為正常替代）
硅片針對低于<100KHz的應用進行了優化
與上一代產品索引，體二極管更加柔軟
工業標準通表面安裝功率封裝
可用于波焊
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續漏極電流:110 A
Rds On-漏源導通電阻:4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V
Qg-柵極電荷:86 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:140 W
配置:Single
商標名:StrongIRFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長度:6.5 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標:Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值:200 S
下降時間:32 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:38 ns
工廠包裝數量:2000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:59 ns
典型接通延遲時間:8.7 ns
零件號別名:SP001550214
單位重量:4 g
