描述
ISSI IS61C1024AL / IS64C1024AL是一種非常高速,低功耗的131072字乘8位CMOS靜態存儲器RAM。它們是使用ISSI的高性能制造的CMOS技術。這個高度可靠的過程憑借創新的電路設計技術,產量更高性能和低功耗設備。當CE1為HIGH或CE2為LOW(取消選中)時,設備假設待機模式下功耗可以通過使用CMOS輸入電平來降低。使用兩個芯片可輕松擴展內存啟用輸入CE1和CE2.activeLOWWriteEnable(WE)控制存儲器的寫入和讀取。IS61C1024AL / IS64C1024AL提供32引腳300 mil SOJ,32引腳400 mil SOJ,32引腳TSOP(I型,8x20)和32引腳sTSOP(Type I,8 x13.4)封裝。
特征:IS61C1024AL-12JLI
•高速訪問時間:12、15 ns
•低有功功率:160 mW(典型值)
•低待機功耗:1000 μW(典型值)CMOS待機
•輸出使能(OE)和兩個芯片使能(CE1和CE2)輸入,以簡化應用
•完全靜態操作:無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•5V(±10%)單電源
•商業,工業和汽車溫度范圍可用
•無鉛
制造商:ISSI
產品種類:靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量:1 Mbit
組織:128 k x 8
訪問時間:12 ns
最大時鐘頻率:83 MHz
接口類型:Parallel
電源電壓-最大:5.5 V
電源電壓-最小:4.5 V
電源電流—最大值:0.45 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOJ-32
封裝:Tube
數據速率:SDR
系列:IS61C1024AL
類型:Asynchronous
商標:ISSI
端口數量:1
濕度敏感性:Yes
產品類型:SRAM
子類別:Memory & Data Storage