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IS61LPS51236A-200TQLI

發布時間:2021/2/22 20:53:00 訪問次數:161 發布企業:西旗科技(銷售二部)





描述:IS61LPS51236A-200TQLI
ISSI IS61LPS / VPS51236A,IS61LPS / VPS102418A,和IS61LPS / VPS25672A是高速,低功耗同步靜態RAM,旨在提供可突發的,用于通信和網絡應用程序的高性能內存。 IS61LPS / VPS51236A被組織IS516LPS / VPS102418A為524,288字乘36位按18位組織為1,048,576字,而IS61LPS /VPS25672A按72位組織為262,144字。采用ISSI的先進CMOS技術制造的該器件集成了2位突發計數器,高速SRAM核心和高驅動能力輸出到單個單片電路。所有同步輸入均通過寄存器由上升沿觸發的單時鐘輸入控制。寫周期在內部是自定時的,并由時鐘輸入的上升沿。寫周期可以是一個最多由寫控制輸入控制的四個字節寬。單獨的字節使能允許寫入單個字節。通過使用字節寫入執行字節寫入操作啟用(BWE)輸入與一個或多個個人組合字節寫信號(BWx)。此外,全局寫入(GW)可一次寫入所有字節,無論字節寫控件。突發事件可以使用任一ADSP(地址狀態)啟動處理器)或ADSC(地址狀態緩存控制器)輸入引腳。隨后的突發地址可以在內部生成并由ADV控制(突發地址前進)輸入引腳。模式引腳用于選擇突發序列順序,當此松木被固定為低位時,可實現線性跳躍。當該引腳連接到高電平或懸空時實現突發

特征:IS61LPS51236A-200TQLI
•內部自定時寫入周期
•單字節寫控制和全局寫
•時鐘控制的注冊地址,數據和控制
•使用MODE輸入進行突發序列控制
•三芯片啟用選項,用于簡單的深度擴展和地址管線
•通用數據輸入和數據輸出
•取消選擇時自動關機
•單周期取消選擇
•貪睡模式可降低待機功耗
•PBGA封裝的JTAG邊界掃描
• 電源
LPS:Vdd 3.3V + 5%,Vddq 3.3V / 2.5V + 5%
VPS:Vdd 2.5V + 5%,Vddq 2.5V + 5%
•JEDEC 100引腳TQFP,119球PBGA,165球
PBGA和209球(x72)封裝
•無鉛


IS61LPS51236A-200TQLI

制造商:ISSI
產品種類:靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量:18 Mbit
訪問時間:3.1 ns
最大時鐘頻率:200 MHz
電源電壓-最大:3.465 V
電源電壓-最小:3.135 V
電源電流—最大值:475 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TQFP-100
封裝:Tube
數據速率:SDR
系列:IS61LPS51236A
類型:Synchronous
商標:ISSI
端口數量:4
濕度敏感性:Yes
產品類型:SRAM
工廠包裝數量:72
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:657 mg


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