描述：IS61LV5128AL-10KLI
ISSI IS61LV5128AL是一種非常高速，低功耗的產品，524,288字乘8位CMOS靜態RAM。的IS61LV5128AL使用ISSI的高性能CMOS技術制造。這個高度可靠的過程結合創新的電路設計技術，可提高產量高性能和低功耗的設備。當CE為高電平（取消選擇）時，設備假定待機模式下功耗可以達到通過CMOS輸入電平可降低至250 μW（典型值）。IS61LV5128AL采用3.3V單電源供電電源和所有輸入均兼容TTL。IS61LV5128AL提供36引腳400-mil SOJ，36-微型BGA引腳和44引腳TSOP（II型）封裝。
特征：IS61LV5128AL-10KLI
•高速訪問時間：10、12 ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳可增強抗噪能力
•通過CE和OE選項輕松擴展內存
•CE掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•3.3V單電源
•可用軟件包：
– 36針400毫米SOJ
– 36針miniBGA
– 44引腳TSOP（II型）
•無鉛
制造商:ISSI
產品種類:靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量:4 Mbit
組織:512 k x 8
訪問時間:10 ns
接口類型:Parallel
電源電壓-最大:3.63 V
電源電壓-最小:3.135 V
電源電流—最大值:95 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOJ-36
封裝:Tube
數據速率:SDR
系列:IS61LV5128AL
類型:Asynchronous
商標:ISSI
端口數量:1
濕度敏感性:Yes
產品類型:SRAM
工廠包裝數量:19
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:1.380 g
