描述：STN1NK80Z
SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：對ST的完善進行了徹底的優化基于條帶的PowerMESH™布局。 此外大大降低導通電阻，特別注意確保非常好的dv / dt功能適用于最苛刻的應用。 這樣的系列補充了ST全系列的高壓MOSFET，包括革命性的MDmesh™產品。
應用領域：STN1NK80Z
■交流適配器和電池充電器
■SWITH模式電源（SMPS）
特性：STN1NK80Z
■典型RDS（on）=13Ω
■極高的dv / dt功能
■ESD改進的功能
■100％雪崩測試
■新的高壓基準
■門控充電最小化
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-4
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續漏極電流:250 mA
Rds On-漏源導通電阻:16 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:7.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.8 mm
長度:6.5 mm
系列:STN1NK80Z
晶體管類型:1 N-Channel MOSFET
類型:Power MOSFET
寬度:3.5 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:0.8 S
下降時間:55 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:30 ns
工廠包裝數量:4000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:22 ns
典型接通延遲時間:8 ns
單位重量:250 mg
