描述：STF7N80K5
這些非常高壓的N通道電源MOSFET使用MDmesh™K5設計基于創新專有技術的技術垂直結構。 結果是戲劇性的降低導通電阻和超低柵極為需要更高功率的應用程序充電密度高，效率高。
特性：STF7N80K5
業界最低的RDS（on）x區域
業界最佳的FoM（績效指標）
超低柵極電荷
經過100％雪崩測試齊納保護
應用領域：STF7N80K5
切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續漏極電流:6 A
Rds On-漏源導通電阻:1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:13.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
配置:Single
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STF7N80K5
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
下降時間:22.2 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:8.3 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:23.7 ns
典型接通延遲時間:11.3 ns
單位重量:330 mg
