描述：STF5NK100Z
新的SuperMESH™系列電源MOSFET是進一步設計的結果ST完善的基于條帶的PowerMESH™布局的改進。 此外該器件具有明顯更低的導通電阻出色的dv / dt功能以確保最佳即使在要求最苛刻的情況下也能表現出色應用程序。 SuperMESH™設備進一步補充已經廣泛的創新高壓MOSFET，其中包括革命性的MDmesh™產品。
特性：STF5NK100Z
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■極好的制造重復性
應用領域：STF5NK100Z
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV
Id-連續漏極電流:3.5 A
Rds On-漏源導通電阻:3.7 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:42 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
封裝:Tube
高度:9.3 mm
長度:10.4 mm
系列:STF5NK100Z
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:4 S
下降時間:19 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:7.7 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:51.5 ns
典型接通延遲時間:22.5 ns
單位重量:330 mg
