描述：STD4NK60Z-1
這些高壓器件是齊納保護的N溝道功率MOSFET由意法半導體（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技術開發，優化完善的PowerMESH™。 除了重大這些器件旨在降低導通電阻，以確保高水平的dv / dt最苛刻的應用程序的能力。
特性：STD4NK60Z-1
•極高的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化
•齊納保護
應用領域:STD4NK60Z-1
•切換應用
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-251-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:4 A
Rds On-漏源導通電阻:2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:70 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
封裝:Tube
高度:6.2 mm
長度:6.6 mm
系列:STD4NK60Z-1
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:2.4 mm
商標:STMicroelectronics
下降時間:16.5 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:9.5 ns
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:12 ns
單位重量:400 mg
