描述：STD35P6LLF6
該器件是一個P溝道功率MOSFET使用STripFET™F6技術開發的新的溝槽門結構。 所結果的功率MOSFET的RDS（on）極低包。
特性：STD35P6LLF6
導通電阻很低
極低的柵極電荷
高雪崩強度
低柵極驅動功率損耗
應用領域：STD35P6LLF6
切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續漏極電流:35 A
Rds On-漏源導通電阻:28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:30 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:70 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:STripFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:STD35P6LLF6
晶體管類型:1 P-Channel Power MOSFET
商標:STMicroelectronics
下降時間:21 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:39 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:171 ns
典型接通延遲時間:51.4 ns
單位重量:4 g
