描述：STD2HNK60Z
這些高壓器件是齊納保護的N溝道功率MOSFET由意法半導體（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技術開發，優化完善的PowerMESH™。 除了重大這些器件旨在降低導通電阻，以確保高水平的dv / dt最苛刻的應用程序的能力。
特性：STD2HNK60Z
•極高的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化
•齊納保護
應用領域：STD2HNK60Z
•切換應用
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:2 A
Rds On-漏源導通電阻:4.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:11 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:45 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
系列:STD2HNK60Z
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
寬度:6.2 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:1.5 S
下降時間:50 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:30 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:23 ns
典型接通延遲時間:10 ns
單位重量:4 g
